強誘電体メモリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998213234
Publication number (International publication number)：2000044239
Application date： Jul. 28, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】アニール温度を下げて結晶粒径を小さくすることによりリーク電流を小さくすると共に、耐疲労特性を向上させることができる強誘電体メモリを提供すること。【解決手段】 Liを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層6と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層5とを有する。

Claim (excerpt)：

Liを添加したPb(Zr、Ti)O3層からなるキャパシタ絶縁層と、このPb(Zr、Ti)O3層の上面及び下面の少なくともいずれか一方の上に積層されたPbTiO3層からなるバッファ層とを有することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (9)：

C01G 21/02 , H01B 3/00 , H01B 3/12 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

C01G 21/02 , H01B 3/00 F , H01B 3/12 301 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

F-Term (30)：

5F001AA17 , 5F001AD33 , 5F001AF06 , 5F001AF07 , 5F001AF25 , 5F001AG30 , 5F038AC14 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ01 , 5F083FR01 , 5F083GA21 , 5F083GA30 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5G303AA10 , 5G303AB20 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB16 , 5G303CB25 , 5G303CB35 , 5G303CB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

誘電体薄膜素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-295055 Applicant：株式会社村田製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-313481 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-261445 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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