薄膜形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145861
Publication number (International publication number)：1995007191
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】酸化物超伝導薄膜、誘電体薄膜等の薄膜形成方法に関し、スパッタ、CVD等によって薄膜を形成するときの薄膜形成用基板の温度を均一化し、高品質の薄膜を単一の層として形成する手段を提供する。【構成】薄膜形成用基板5を、この薄膜形成用基板5より高い熱伝導率を有する熱伝導性基板4の上に密着して重ね、この熱伝導性基板4、または、この熱伝導性基板4と薄膜形成用基板5の両者を加熱した状態で、薄膜形成用基板5の上に薄膜を形成する。この熱伝導性基板をサファイア、BN、AlNによって形成することができる。熱伝導性基板の面積を薄膜形成用基板の面積より大きくすることができる。熱伝導性基板と薄膜形成用基板を銀薄膜、金薄膜、銀ペースト、金ペーストによって接着することができる。酸化物超伝導薄膜、酸化物薄膜、誘電体薄膜等の薄膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

薄膜形成用基板を、該薄膜形成用基板より高い熱伝導率を有する熱伝導性基板の上に密着して重ね、該熱伝導性基板、または、該熱伝導性基板と該薄膜形成用基板の両者を加熱した状態で、薄膜形成用基板の上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 39/24 ZAA , C23C 14/08 ZAA , H01B 12/06 ZAA , H01L 39/02 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-072079
特開昭63-140085
特開平2-280358

Show all

Return to Previous Page