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J-GLOBAL ID：200903059400262403

固体撮像装置

Inventor： 米田 智也 ,  小泉 徹 ,  光地 哲伸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998177642
Publication number (International publication number)：2000012820
Application date： Jun. 24, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 飽和電圧が空乏化電圧よりも高くなるように、フォトダイオードの飽和電荷量をチップ内で制御することにより固体撮像装置を適切に作動させることを課題とする。【解決手段】 本発明の固体撮像装置は、光電変換素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードの飽和電荷量に応じて、制御されるオーバーフロードレイン素子を同一チップ内に設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

光電変換素子であるフォトダイオードと、前記フォトダイオードの飽和電荷量に応じてオーバーフロードレインレベルが制御されるオーバーフロードレイン素子とを同一チップ内に設けたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 A ,  H01L 31/10 A

F-Term (20)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD11 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA19 ,  4M118FA33 ,  4M118FA36 ,  5C024AA00 ,  5C024CA31 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024GA43 ,  5F049AA01 ,  5F049BA08 ,  5F049BB05 ,  5F049EA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-094585
  
• CCD固体撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302579   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭56-140773