発光ダイオードアレイ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994200529
Publication number (International publication number)：1996064864
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】各発光エレメントを単独で発光できるとともに、極めて低電流で高発光効率を実現できる発光ダイオードアレイ及びその製造方法を提供する。【構成】第1導電型の基板(1)上に複数個の発光エレメントが直線的に配置されてなり、各発光エレメントは少なくとも、基板上に順次積層される第1導電型のクラッド層(3)と、(AlxGa1-x)In1-yP(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる活性層(4)と、第2導電型のクラッド層(5)と、第2導電型の電流拡散層(6)とを有してなることを特徴とする。また、前記各発光エレメントは、互いに、上面より少なくとも前記活性層(4)までがエッチング除去によって電気的に分離されてなることを特徴とする。また、発光層より上方で、発光光の取り出し面以外の部分に、第1導電型の電流阻止層(12)を形成してなることを特徴とする。また、基板(1)と活性層(4)との間に第1導電型の多層反射膜(14)を形成してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板上に複数個の発光エレメントが直線的に配置されてなり、前記各発光エレメントは少なくとも、前記基板上に順次積層される第1導電型のクラッド層と、(AlxGa1-x)In1-yP(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる活性層と、第2導電型のクラッド層と、第2導電型の電流拡散層とを有し、且つ前記隣り合う発光エレメントの発光部は互いに電気的に分離されてなることを特徴とする発光ダイオードアレイ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-096655 Applicant：日本ビクター株式会社
特開平3-230571
特開平2-078280

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