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J-GLOBAL ID：200903059435491456

磁気検出素子及びその製造方法

Inventor： 磯村 明宏 ,  荒井 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン ,  荒井 賢一
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244860
Publication number (International publication number)：1998090380
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 より高感度の検出素子を実現でき,渦電流損失が低減でき,高周波帯域での磁気特性が改善され,大きなインピ一ダンス変化率を有する磁気検出素子を提供すること。【解決手段】 磁性層10と導体層20とを備えた磁気検出素子において,前記磁性層10は,80-87at%Co-10〜17at%Nb-1〜6at%ZrのCo-Nb-Zr薄膜を含む。この磁気検出素子を製造するには,第1の磁性膜11上に第1の絶縁膜31を形成し,前記絶縁膜31上に導体層20を形成し,前記導体層20を両端部を残して覆うように,第2の絶縁膜32で覆い,前記第2の絶縁膜32を前記第1の磁性膜11と閉磁路を構成するように,第2の磁性膜12で覆う。

Claim (excerpt)：

磁性層とこれに隣接した導電層とを備えた磁気検出素子において,前記磁性層は,80-87at%Co-10〜17at%Nb-1〜6at%ZrのCo-Nb-Zr薄膜を含むことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (5)：

G01R 33/02 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (6)：

G01R 33/02 D ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-076923   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-136987   Applicant：松下電器産業株式会社