Pat

J-GLOBAL ID：200903059479770158

化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置

Inventor： 藤本 英俊 ,  新田 康一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176034
Publication number (International publication number)：1997027636
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない窒化物系化合物半導体膜を形成することができ、発光素子の信頼性向上をはかる。【解決手段】 窒化物系化合物半導体結晶を用いた化合物半導体発光ダイオードにおいて、結晶性基板としてAlN配向性多結晶基板11を用い、この基板11上にn型GaN層12とp型GaN層13を成長形成し、各層12,13にIn膜14,15からなるオーミック電極を形成している。

Claim (excerpt)：

配向性多結晶からなる結晶性基板と、この基板上に成長形成された窒化物系化合物半導体膜とを具備してなることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭63-166711
  
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004720   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開平2-229476
  
• 特公平4-015200
  
• 特開平2-081482
  
• 特開平4-297023
  

Cited by examiner (2)

• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭63-166711