半導体デバイス製造におけるパターン転写方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：木森有平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002243369
Publication number (International publication number)：2003100625
Application date： Aug. 23, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】凹凸パターンが形成された型をレジスト膜にプレスして行うパターン転写において、プレス後のレジスト膜のエッチングを安価で簡便なウェットエッチングによって実現する。【解決手段】凹凸型3をプレスした後のレジスト膜2を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。あるいは、プレス時の型3の過熱温度をレジスト膜2の熱劣化温度に設定して型3をプレスすることにより、レジスト膜2を選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

基板上への回路パターンの転写に際し、基板上に形成された高分子材料のレジスト膜に凹凸を有する凹凸型をプレスして行う半導体デバイス製造におけるパターン転写において、凹凸型のプレスによって形成されたレジスト膜の凸パターン部分と凹パターン部分に紫外線照射させて、レジスト膜に変性部と非変性部を選択的に形成すること特徴とする半導体デバイス製造におけるパターン転写方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 1/02 , G03F 1/08

FI (4)：

G03F 1/02 , G03F 1/08 D , H01L 21/30 502 D , H01L 21/30 572 B

F-Term (5)：

2H095BA07 , 2H095BA12 , 2H095BB02 , 2H095BB36 , 5F046MA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜パターン製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-270458 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-004264
凸型パターンを有するスタンパーの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-092993 Applicant：株式会社ニコン

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