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J-GLOBAL ID：200903059728725672
磁気抵抗効果素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995243071
Publication number (International publication number)：1997091628
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 軟磁性層/非磁性層/磁気抵抗効果層から成る磁気抵抗効果素子では、定常電流が軟磁性層および非磁性層に分流し、磁気抵抗効果層に流れる電流が少なくなり、そのために再生出力が低くなっていた。【解決手段】 軟磁性層2を鉄系微結晶材料のFe-Al-Si-X-C(XはHf、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、Wのいずれか1つ)で形成する。この材料は飽和磁束密度が大きいため、膜厚を薄くしても、磁気抵抗効果層4に充分な横バイアス磁界を与えることができる。また、比抵抗が大きくなる。比抵抗が大きく且つ膜厚を薄くできるため、軟磁性層2は抵抗値が大きくなる。よって、軟磁性層2への定常電流の分流比が低くなり、磁気抵抗効果層4への定常電流の分流比が高くなり、磁気抵抗効果層4の再生出力が高くなる。
Claim (excerpt)：
磁気抵抗効果層、非磁性層、軟磁性層が積層されており、電流が前記各層に与えられたときに、軟磁性層から磁気抵抗効果層に対して横バイアス磁界が与えられる磁気抵抗効果素子において、前記軟磁性層が鉄系微結晶材料で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/08
, H01L 43/10
G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/10
