ガス温度測定に基づく半導体ウェーハ温度測定及び制御のための方法及び装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：矢野敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998261598
Publication number (International publication number)：1999154669
Application date： Sep. 16, 1998
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】プロセッシング中の半導体ウェーハの温度測定及び制御を改善するための方法と装置を得る。【解決手段】本発明の装置はウェーハ固定用のチャックと、冷却ガス供給源(16)と、プロセッシング中のウェーハ温度を測定し制御するための温度検出手段を有する。ウェーハを載置するためのチャック(22)上面には複数の孔(34)が形成されており、該孔を介してヘリウム等の冷却ガスが制御された速度と圧力で導入される。冷却ガスはチャック上面とウェーハ下側間の狭い空間(36)を通過し、ウェーハ温度に熱せられた後排気路(30)を介して排気される。熱せられたガスの温度を継続的に温度センサにより測定し、ウェーハへの冷却ガスの圧力と流速を示す信号を得ることにより、プロセッシング中のウェーハの温度を継続的に所望の値に維持する。

Claim (excerpt)：

ガス供給源、温度センサ、温度制御手段、及びガス制御手段を有した、加工物の温度を制御するための温度制御装置において、前記ガス供給源は、選択された温度、圧力、及び流速でガスを供給可能であり、該ガスは加工物上を通過し、その結果としてエネルギが加工物から該ガスに伝達され、前記温度センサは加工物に接触した後のガスの温度を測定し、接触後のガスの温度を示す出力信号を発生し、前記温度制御手段は温度センサの出力信号に応じて、加工物の所望の温度変化を示す制御信号を発生し、前記ガス制御手段はガス供給源に接続されており、前記温度制御手段からの制御信号に応じて、加工物に接触する前のガスの温度、圧力及び流速のうち少なくとも1つを制御することにより、加工物の温度を制御するよう構成された、加工物の温度を制御するための温度制御装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , G01K 13/02 , H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (4)：

H01L 21/302 B , G01K 13/02 , H01L 21/66 T , H01L 21/30 516 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-134187
ウエハ温度測定方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-254642 Applicant：新日本製鐵株式会社
基板保持方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232797 Applicant：株式会社日立製作所

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