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J-GLOBAL ID：200903059862129997

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor：
田尻 敦志

About 田尻 敦志


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001025940
Publication number (International publication number)：2002232078
Application date： Feb. 01, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ピットの検出の際の分解能が高くピット情報の解像度が良好でありS/Nの向上を図ることが可能な複数の発光点を有する半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、n-GaN基板1の一方の面上に第1の半導体レーザ素子10が形成され、n-GaN基板1の他方の面に第2の半導体レーザ素子20が形成されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20は、n-クラッド層11,21、MQW活性層12,22、p-クラッド層13,23、電流ブロック層14,24およびp-コンタクト層15,25が順に積層されてなる。第1および第2の半導体レーザ素子10,20のMQW活性層12,22に形成される発光点17,27は、MQW活性層12,22に平行な方向に長軸を有しかつ垂直な方向に短軸を有する楕円形状を有する。
Claim (excerpt)：
基板の一方の面上に、第1の活性層を有する第1の半導体レーザ素子が形成され、前記基板の他方の面上に、前記第1の半導体レーザ素子の前記第1の活性層にほぼ平行な第2の活性層を有する第2の半導体レーザ素子が形成され、前記第1の半導体レーザ素子の前記第1の活性層の端面に、前記第1の活性層に平行な方向に長軸を有しかつ前記第1の活性層に垂直な方向に短軸を有するほぼ楕円形状の第1の発光点が形成され、前記第2の半導体レーザ素子の前記第2の活性層の端面に、前記第2の活性層に平行な方向に長軸を有しかつ前記第2の活性層に垂直な方向に短軸を有するほぼ楕円形状の第2の発光点が形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
H01S 5/22 610 ,  G11B 7/125
FI (2)：
H01S 5/22 610 ,  G11B 7/125 A
F-Term (17)：
5D119AA10 ,  5D119AA24 ,  5D119BA01 ,  5D119EC40 ,  5D119EC47 ,  5D119FA05 ,  5D119FA08 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA74 ,  5F073AB04 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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