Pat

J-GLOBAL ID：200903059905088467

半導体ウエハーを処理する方法

Inventor： ドブソン,クリストファー,デビッド
Applicant, Patent owner： ドブソン,クリストファー,デビッド
Agent (1)： 新部 興治 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994503075
Publication number (International publication number)：1997502301
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】この発明は、半導体ウエハーを処理する方法に、そして特に、排他的ではないが、平面化に関する。その方法は、シリコン含有ガスまたは蒸気から形成される液状短鎖式ポリマーを蒸着させることから成る。その後に水とOHとが除去されて、その層が安定化される。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハーの処理方法において、ほぼ平面な層を形成するために通式Six(OH)yまたはSix(OH)zを有する液状短鎖式ポリマーをウエハー上に蒸着させることを特徴とする半導体ウエハーの処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭62-096674
  
• 特開昭63-110642
  

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の絶縁膜処理法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-242239   Applicant：日本電気株式会社