化合物半導体の製造装置から生ずる排気ガスから半導体特殊材料ガスの回収

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000140588
Publication number (International publication number)：2001353420
Application date： May. 12, 2000
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体製造に係わる各プロセスにおいて消費されずに排出される排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを回収【解決手段】化合物半導体製造に係わる各プロセスにおいて消費されずに排出される排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを回収する装置において、その装置は、その排気ガス中に含有されるIIA、IIB及び/又はIIIB族元素を実質上除去する装置、その排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを濃縮する装置ならびに濃縮されたV族系半導体特殊材料ガスを充填回収するならびに更に濃縮するシリンダーを含むことを特徴とするV族系半導体特殊材料ガスの回収装置。

Claim (excerpt)：

化合物半導体製造に係わる各プロセスにおいて消費されずに排出される排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを回収する装置において、その装置は、その排気ガス中に含有されるIIA、IIB及び/又はIIIB族元素を実質上除去する装置、その排気ガスからV族系半導体特殊材料ガスを濃縮する装置ならびに濃縮されたV族系半導体特殊材料ガスを充填回収すると伴に更に濃縮する機能を有したシリンダーとそのシリンダーを納めたシリンダーキャビネットを含むことを特徴とするV族系半導体特殊材料ガスの回収装置。

IPC (5)：

B01D 53/46 , B01D 53/04 , B01D 53/86 , B01J 21/02 ZAB , B01J 23/755

FI (7)：

B01D 53/04 B , B01D 53/04 F , B01D 53/04 G , B01J 21/02 ZAB A , B01D 53/34 120 A , B01D 53/36 Z , B01J 23/74 321 A

F-Term (29)：

4D002AA40 , 4D002AC10 , 4D002BA04 , 4D002CA07 , 4D002DA41 , 4D002DA45 , 4D002DA46 , 4D002DA70 , 4D002EA07 , 4D012CA12 , 4D012CA20 , 4D012CB16 , 4D012CB20 , 4D012CD03 , 4D012CD07 , 4D012CH05 , 4D012CJ02 , 4D048AA17 , 4D048AB03 , 4D048BA03X , 4D048BA38X , 4D048CD01 , 4G069AA08 , 4G069BC16B , 4G069BC68B , 4G069CA02 , 4G069CA10 , 4G069CA11 , 4G069DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

気体の貯蔵・送出方法及び気体の貯蔵・送出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-034460 Applicant：高千穂化学工業株式会社

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