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J-GLOBAL ID：200903059973729160

プラズマ処理装置

Inventor：
一木 克則

About 一木 克則


Applicant, Patent owner：
株式会社荏原製作所

About 株式会社荏原製作所


Agent (5)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005115399
Publication number (International publication number)：2006294483
Application date： Apr. 13, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】直径300mm以上の基板などの大型の被処理物を処理することができ、しかも均一でプラズマポテンシャルの低い高密度プラズマを生成することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理物が収容されるプラズマ生成室1と、互いに対向する少なくとも1対の端面5a,5bを有する磁路構造体5と、磁路構造体5に巻きつけられたアンテナコイル11と、アンテナコイル11に高周波電流を供給する高周波発生源とを備え、プラズマ生成室1は、端面5a,5bの間に配置されている。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
被処理物が収容されるプラズマ生成室と、 互いに対向する少なくとも1対の端面を有する磁路構造体と 前記磁路構造体に巻きつけられたアンテナコイルと、 前記アンテナコイルに高周波電流を供給する高周波発生源とを備え、 前記プラズマ生成室は、前記端面の間に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/507 ,  H01L 21/306
FI (3)：
H05H1/46 L ,  C23C16/507 ,  H01L21/302 101C
F-Term (15)：
4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030FA04 ,  4K030KA30 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004BB29 ,  5F004BC02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045EH11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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