Pat
J-GLOBAL ID：200903059993780316

垂直磁気記録媒体および磁気記録装置

Inventor：
渡辺 貞幸

About 渡辺 貞幸

, 
酒井 泰志

About 酒井 泰志


Applicant, Patent owner：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

About 富士電機デバイステクノロジー株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004356239
Publication number (International publication number)：2006164440
Application date： Dec. 09, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：
【課題】 グラニュラー磁気記録層において強磁性結晶粒子の粒径を一定に保ったまま柱状に成長させる。【解決手段】 グラニュラー磁気記録層において、非磁性粒界を少なくとも2種類の酸化物から構成し、強磁性結晶粒子を構成する強磁性元素の酸化における標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値の内で最大のものをG1とし、非磁性粒界を構成する元素の酸化における標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値が小さい順にG2、G3とした時に、G1<G2<G3であり、かつ(G2-G1)>(G3-G2)とすることを特徴とする。窒化物においても同様である。 G3-G2は200kJ/モル未満とし、非磁性粒界がCr、Si、Al、Ti、Ta、Hf、Zr、Y、CeおよびBの内の少なくとも2種類の元素の酸化物または窒化物とすることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
非磁性基体上に磁気記録層を備えた垂直磁気記録媒体において、 前記磁気記録層は強磁性結晶粒子と、該強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界を有し、該非磁性粒界が少なくとも2種類の酸化物からなり、 前記強磁性結晶粒子を構成する強磁性元素の酸化における酸素分子1モルあたりの標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値の内で最大のものをG1とし、前記非磁性粒界を構成する元素の酸化における酸素分子1モルあたりの標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値の内で小さい順にG2、G3とした時に、G1<G2<G3であり、かつ(G2-G1)>(G3-G2)であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (5)：
G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/738 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/16
FI (5)：
G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/738 ,  H01F10/00 ,  H01F10/16
F-Term (15)：
5D006BB01 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006BB09 ,  5D006CA01 ,  5D006CA06 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006FA00 ,  5D006FA09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM