半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、赤外線検知装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：眞鍋潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001344264
Publication number (International publication number)：2003152171
Application date： Nov. 09, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、赤外線検知装置に関し、熱サイクルによる熱膨張係数の差による劣化を防止するとともに、冷却効率を高める。【解決手段】 Cd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Te(0≦x<0.05)基板2上に素子形成用のHg<SB>1-y </SB>Cd<SB>y </SB>Te(0<y<1)層3を形成した第1の半導体基体1と第2の半導体基体4とを対向させ結合電極5を用いて結合してハイブリッド半導体装置としたのち、前記Cd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Te基板2の裏面側から該Cd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Te基板2の少なくとも一部を選択エッチング液を用いて除去する。

Claim (excerpt)：

Cd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Te(0≦x<0.05)基板上に素子形成用のHg<SB>1-y </SB>Cd<SB>y </SB>Te(0<y<1)層を形成した第1の半導体基体と第2の半導体基体とを対向させ結合電極を用いて結合してハイブリッド半導体装置としたのち、前記Cd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Te基板の裏面側から該Cd<SB>1-x </SB>Zn<SB>x </SB>Te基板の少なくとも一部を選択エッチング液を用いて除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/146 , H01L 21/306 , H01L 21/308 , H01L 25/16 , H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (7)：

H01L 21/308 C , H01L 25/16 A , H01L 27/14 F , H01L 27/14 K , H01L 21/306 B , H01L 31/10 A , H01L 31/10 G

F-Term (24)：

4M118AA08 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA16 , 4M118CA03 , 4M118CA32 , 4M118CB09 , 4M118EA01 , 4M118FC18 , 4M118GA10 , 4M118HA31 , 5F043AA18 , 5F043BB12 , 5F043EE15 , 5F043GG10 , 5F049MA02 , 5F049MB01 , 5F049PA14 , 5F049RA02 , 5F049UA12 , 5F049UA13 , 5F049UA14 , 5F049UA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-296272
多層構造半導体のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213317 Applicant：横河電機株式会社

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