Pat
J-GLOBAL ID:200903060012576267
ホイスカー防止用スズメッキ浴、及びスズメッキ方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
豊永 博隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001294465
Publication number (International publication number):2003105589
Application date: Sep. 26, 2001
Publication date: Apr. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 スズメッキの操作段階で、特定の処理をしてスズホイスカーを有効に防止することを技術的課題とする。【解決手段】 可溶性第一スズ塩を含有してなるスズメッキ浴において、メッキ浴中の銅の含有率が全スズイオンに対して10ppm以下であるホイスカー防止用スズメッキ浴である。また、可溶性第一スズ塩中の銅の含有率が全スズ量に対して10ppm以下であるホイスカー防止用スズメッキ浴である。主に、可溶性第一スズ塩中に不純物として含まれる銅を所定含有率以下に排除することにより、メッキ浴中のスズイオンを高純度環境に保持できるため、スズホイスカーの発生を有効、確実に防止できる。
Claim (excerpt):
可溶性第一スズ塩を含有してなるスズメッキ浴において、メッキ浴中の銅の含有率が全スズイオンに対して10ppm以下であることを特徴とするホイスカー防止用スズメッキ浴。
IPC (6):
C25D 7/00
, C25D 3/30
, C25D 7/12
, C25D 17/10 101
, C25D 21/12
, H01L 23/50
FI (8):
C25D 7/00 G
, C25D 7/00 H
, C25D 7/00 J
, C25D 3/30
, C25D 7/12
, C25D 17/10 101 B
, C25D 21/12 L
, H01L 23/50 D
F-Term (30):
4K023AA04
, 4K023AA17
, 4K023BA06
, 4K023BA29
, 4K023CA01
, 4K023CB04
, 4K023CB05
, 4K023CB08
, 4K023CB12
, 4K023CB33
, 4K023CB40
, 4K023DA06
, 4K023DA11
, 4K024AA03
, 4K024AA07
, 4K024AA09
, 4K024AB02
, 4K024BA01
, 4K024BA02
, 4K024BA09
, 4K024BB09
, 4K024BB10
, 4K024BB11
, 4K024BB12
, 4K024BC01
, 4K024BC03
, 4K024CA01
, 4K024CB06
, 4K024GA16
, 5F067DC16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
-
特開昭52-111428
-
特開平3-193891
-
特開昭62-077481
-
電子部品実装用フィルムキャリアテ-プ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-252338
Applicant:三井金属鉱業株式会社
-
特開平2-170988
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Cited by examiner (5)
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特開昭52-111428
-
特開平3-193891
-
特開昭62-077481
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電子部品実装用フィルムキャリアテ-プ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-252338
Applicant:三井金属鉱業株式会社
-
特開平2-170988
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
日本工業規格塩化すず(II)二水和物(試薬), 19960301, pp. 1-2
-
日本工業規格すず(試薬), 19921031, p. 1
Cited by examiner (2)
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日本工業規格塩化すず(II)二水和物(試薬), 19960301, pp. 1-2
-
日本工業規格すず(試薬), 19921031, p. 1
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