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J-GLOBAL ID：200903060072678654

窒化物半導体発光ダイオード

Inventor：
向井 孝志

About 向井 孝志


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999233001
Publication number (International publication number)：2001060719
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 発光効率の高い発光出力の良好な、発光ピーク波長が380nm以下の紫外領域に発光する窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 転位密度が106/cm2以下の窒化物半導体基板1上に、発光ピーク波長が380nm以下の窒化物半導体からなる素子構造を形成する。
Claim (excerpt)：
転位密度が106/cm2以下の窒化物半導体基板上に、発光ピーク波長が380nm以下の窒化物半導体からなる素子構造を形成してなることを特徴とする窒化物半導体素子。
F-Term (25)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041FF15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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