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J-GLOBAL ID：200903084219382566

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
松下 俊雄

About 松下 俊雄


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998151392
Publication number (International publication number)：1999224969
Application date： Jun. 01, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 n導電側のコンタクト層やGaN基板等のレーザ導波路以外での光の伝播を抑制し、ファーフィールドパターン及びニヤーフィールドパターンが良好となる窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 異種基板1上に異種基板1より屈折率が大きい第1の窒化物半導体層101、第1の窒化物半導体層より屈折率が小さい第2の窒化物半導体層102、第2の窒化物半導体層102よりも屈折率が大きい活性層103を順に積層してなる素子の第2の窒化物半導体層102と異種基1板との間に光吸収層105を設ける、あるいは異種基板1に光吸収性を持たせる。又GaN基板に形成されたレーザ素子の素子構造を有していない面に光吸収膜を形成する。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる異種基板上に、異種基板より屈折率が大きい第1の窒化物半導体層と、その上に第1の窒化物半導体層より屈折率が小さい第2の窒化物半導体層と、その上に第2の窒化物半導体層よりも屈折率が大きい活性層とが積層された構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記第2の窒化物半導体層と異種基板との間に活性層を含むレーザ導波路から漏れ出した光を吸収できる材料よりなる光吸収層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057842   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039646   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-188569   Applicant：ソニー株式会社

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