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J-GLOBAL ID：200903060125855910

光半導体装置およびその製造方法

Inventor：
高橋 強

About 高橋 強

, 
北村 修

About 北村 修


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000137475
Publication number (International publication number)：2001320078
Application date： May. 10, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】光半導体装置のホトダイオードにおいて、入射光の反射率を出来る限り抑え、かつ、表面保護膜の膜厚のばらつきによる入射光の反射率のばらつきを抑えることが要望されている。この要望に答えるために簡便な光半導体装置を提供する。【解決手段】この光半導体装置は、ホトダイオード21上に表面保護膜36を形成する。そして、その表面保護膜36上にはシリコン酸化膜45等は形成されず、直接空気に接する。そのことにより、光が入射する表面保護膜36の膜厚のばらつきが小さくなり、反射光量を低減し、ホトダイオード21の光電流変換効率を向上できる。
Claim (excerpt)：
一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成したエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層を複数の島領域に形成する一導電型の分離領域と、島領域のエピタキシャル層表面に形成したホトダイオードの一方の取り出し領域となる拡散領域と、前記ホトダイオードを形成する領域のエピタキシャル層表面を被覆する表面保護膜とを備え、前記表面保護膜は、単層のシリコン窒化膜であることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/14
FI (2)：
H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z
F-Term (14)：
4M118AA01 ,  4M118BA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118EA16 ,  4M118FC09 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049NA08 ,  5F049NA10 ,  5F049SS02 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-299860
  • 特開平4-271173
  • 回路内蔵受光素子の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-327363   Applicant：シャープ株式会社
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