液膜形成装置及びその方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997220922
Publication number (International publication number)：1999054394
Application date： Aug. 01, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】露光処理された半導体ウエハの表面に現像液の液膜を形成するにあたり、均一な液膜を形成し、パ-ティクル汚染を防止すること。【解決手段】ウエハの裏面周縁部を周縁保持部31で保持し、この周縁保持部31の外縁に段差をもって連続してウエハ表面と同じ高さに形成されかつ外縁に堰が形成された水平な液受け台32に、吐出孔41の配列領域がウエハの直径とほぼ同じ長さの供給ノズル4から現像液を液盛りする。次いで供給ノズル4を、現像液を吐出させながら供給ノズル4の長さ方向と直交する方向に移動し、ウエハ表面全体に液膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板を水平に保持するための基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の周りを当該基板に接近して囲み、基板の表面と同じ高さまたはその近傍の高さとなるように設けられた液受け台と、前記基板の有効領域の幅とほぼ同じ長さかそれよりも長い処理液の供給領域を有する処理液の供給ノズルと、この供給ノズルの長さ方向に直交する方向に当該供給ノズルを移動させるための移動機構と、を備え、前記液受け台と基板の周縁との間から処理液が流出しないように構成され、前記供給ノズルにより液受け台の上に処理液を供給して液盛りを行い、次いで供給ノズルを移動させながら当該供給ノズルから処理液を流出させて基板表面全体に亘って処理液を液盛りすることを特徴とする液膜形成装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/30 502

FI (2)：

H01L 21/30 569 C , G03F 7/30 502

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

現像装置及び現像処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-276984 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
現像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-075491 Applicant：松下電器産業株式会社
現像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-119917 Applicant：東京応化工業株式会社

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