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J-GLOBAL ID：200903060188800180

ダストの除去装置及び除去方法

Inventor： 大塚 健二 ,  脇 弘 ,  山下 義雄 ,  荒川 秩 ,  畠山 俊哉
Applicant, Patent owner： 日本パイオニクス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997091738
Publication number (International publication number)：1998066816
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 枚葉式CVD装置から排出されるガス中に含まれる固体粒子を圧力損失の上昇や圧力変動によるトラブルを生じることがなく、長期間にわたり安定した濾過ができるダスト除去装置および除去方法を開発する。【解決手段】 濾過素子として、濾過素子の見かけ外表面積に対する濾過膜1次側面積の比が1〜5であるものを用い、濾過素子の2次側に逆洗用ガス噴射ノズルを設け、濾過中は逆洗をおこなわず、ウエハー処理切替え時、または切り替えた後に逆洗を行い、一次側に堆積した粒子を払い落とす。

Claim (excerpt)：

枚葉式常圧CVD装置を用いた半導体製造工程から排出される排ガス中に含まれる固体粒子を除去するためのダスト除去装置であって、濾過素子と濾過素子の二次側に逆洗用ガスのパルス噴射ノズルを備えた濾過器、ガス吸引用ブロワー、およびガス噴射ノズルに接続されたガスタンクから構成され、該濾過素子の見かけ外表面積(S1 )に対する濾過膜の一次側表面積(S2 )の比(S2 /S1 )が1〜5の範囲であり、逆洗におけるガス噴射量が1パルス当たりの容積を噴射時間および噴射される部分の濾過膜面積で除した値が0.03〜0.3m/secなる範囲で行える構成であることを特徴とするダストの除去装置。

IPC (4)：

B01D 46/42 ,  B01D 46/00 ,  B01D 53/46 ,  B01D 53/68

FI (4)：

B01D 46/42 C ,  B01D 46/00 Z ,  B01D 53/34 120 A ,  B01D 53/34 134 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041818   Applicant：竹綱貞義