シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石原詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999144546
Publication number (International publication number)：2000332074
Application date： May. 25, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を簡便な方法で測定し評価することを目的とし、特に2×1014ケ/cm3 以下の窒素濃度であっても、シリコン単結晶ウェーハからその窒素濃度を評価することができる方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施すことにより形成される酸素・窒素ドナーの濃度に基づいて、該シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定するようにした。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施すことにより形成される酸素・窒素ドナーの濃度に基づいて、該シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 , H01L 21/324

FI (2)：

H01L 21/66 N , H01L 21/324 N

F-Term (9)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA20 , 4M106CA10 , 4M106CA70 , 4M106CB30 , 4M106DJ15 , 4M106DJ19 , 4M106DJ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平2-163646
低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-201762 Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト

Cited by examiner (2)

特開平2-163646
低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-201762 Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト

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