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J-GLOBAL ID：200903060278912726

熱電半導体の製造方法及び熱電半導体組成物

Inventor： 田内 比登志 ,  堀 智 ,  杉浦 裕胤 ,  小島 宏康
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999341197
Publication number (International publication number)：2001160635
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 熱電半導体ウエハのスライス回数の増加に起因する生産性の悪化、チップの歩留まりの悪化、1つのインゴットに対して取りうるチップの数の減少を防止すること。【解決手段】 熱電半導体を熱間で圧延する塑性加工工程を含む熱電半導体の製造方法において、塑性加工工程による熱電半導体の厚みの減少率が、塑性加工工程の前後で50%以下とする。

Claim (excerpt)：

熱電半導体を熱間で圧延する塑性加工工程を含む熱電半導体の製造方法において、前記塑性加工工程による前記熱電半導体の厚みの減少率が、前記塑性加工工程の前後で50%以下であることを特徴とする熱電半導体の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 熱電半導体材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-063724   Applicant：株式会社小松製作所, 小松エレクトロニクス株式会社

Cited by examiner (1)

• 熱電半導体材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-063724   Applicant：株式会社小松製作所, 小松エレクトロニクス株式会社