窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野由己男 , 堀川かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004203606
Publication number (International publication number)：2005101536
Application date： Jul. 09, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】短波長域で発振可能である窒化物半導体レーザ素子を得る。【解決手段】基板上に、Alを含む窒化物半導体からなるn型クラッド層とn型光ガイド層、InとAlとを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造をした活性層、及びAlを含む窒化物半導体からなるp型光ガイド層とp型クラッド層とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層の井戸層が、AlxInyGa1-x-yN(0.02≦x≦0.05、0.005≦y≦0.03、x+y<1)からなり、該活性層を挟んだ第1の障壁層及び第2の障壁層がAluGa1-uN(0.10≦u≦0.17)からなり、前記井戸層の膜厚が前記障壁層の膜厚よりも厚膜であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、Alを含む窒化物半導体からなるn型クラッド層とn型光ガイド層、InとAlとを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造をした活性層、及びAlを含む窒化物半導体からなるp型光ガイド層とp型クラッド層とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層の井戸層が、AlxInyGa1-x-yN(0.02≦x≦0.05、0.005≦y≦0.03、x+y<1)からなり、該活性層を挟んだ第1の障壁層及び第2の障壁層がAluGa1-uN(0.10≦u≦0.17)からなり、前記井戸層の膜厚が前記障壁層の膜厚よりも厚膜であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1)：

H01S5/343

FI (1)：

H01S5/343 610

F-Term (8)：

5F173AA08 , 5F173AF25 , 5F173AH22 , 5F173AL03 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AQ12 , 5F173AR02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

窒化ガリウム系化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-075090 Applicant：三洋電機株式会社

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