Pat

J-GLOBAL ID：200903056769336010

窒化ガリウム系化合物半導体装置

Inventor： 野村 康彦 ,  畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997075090
Publication number (International publication number)：1998270756
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 InxGa1-xNを用いる発光デバイスにおいて、高発光効率で且つ歩留まり良く製造可能な窒化物系化合物半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の窒化ガリウム系化合物半導体装置は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層3と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層5との間に、AlxInyGa1-x-yN化合物半導体層からなる発光層4を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、AlxInyGa1-x-yN化合物半導体層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-124642   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-086084   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-171575   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121878   Applicant：日本電気株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-338114   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-209183   Applicant：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210076   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩