半導体装置とこの半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997324457
Publication number (International publication number)：1999163323
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】この発明は、高速動作の妨げとなっている寄生容量を小さくでき、さらにオーバーラップ長を短くすることができ、実効的なチャネル長は長くなり、よって短チャネル効果を抑制できる。【解決手段】この発明は、ゲート電極とソース及びドレイン拡散層とのオーバーラップ領域において、ゲー卜絶縁膜は除去され空間となっている、もしくは低誘電率の酸化膜で充填されており、また、ゲート電極を酸化することにより側壁を形成した後、イオン注入を行うことにより、ゲート電極に対してのイオン注入領域にオフセットができるようにしたものである。

Claim (excerpt)：

ソース拡散層とドレイン拡散層とこれらの間のチャネルの上方にゲート絶縁膜を介して形成されているゲート電極とを有するMISトランジスタを備えた半導体装置において、上記ソース拡散層と上記ゲート電極との間、および上記ドレイン拡散層と上記ゲート電極との間の少なくとも一方がゲート絶縁膜よりも誘電率の低い絶縁膜で充填されており、ゲー卜絶縁膜に対してゲー卜電極の長さが長くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

MISトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-225019 Applicant：日産自動車株式会社
特開昭58-084462

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