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J-GLOBAL ID：200903060303040682

結晶成長方法及び窒化ガリウム系化合物薄膜の製造方法

Inventor：
琵琶 剛志

About 琵琶 剛志


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004340457
Publication number (International publication number)：2006156454
Application date： Nov. 25, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させる際に、反りの発生状態を的確に把握し、これに対処する。【解決手段】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、サファイア基板を表面を鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握する。また、サファイア基板上での窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長に際しては、結晶成長させる結晶層の厚さに対してサファイア基板の厚さを厚くする。具体的には、サファイア基板の厚さをd、サファイア基板の直径をr(インチで表した時の数値)、結晶層の厚さをtとしたときに、d≧50×r×tとなるようにサファイア基板の厚さを選定する。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、 両面鏡面研磨したサファイア基板を、表面鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握することを特徴とする結晶成長方法。
IPC (6)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/12 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/66 ,  H01S 5/323
FI (6)：
H01L33/00 C ,  C23C16/46 ,  C30B25/12 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/66 K ,  H01S5/323 610
F-Term (47)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EH06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077SC05 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030HA13 ,  4K030HA17 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  4M106AA01 ,  4M106CA47 ,  4M106DB30 ,  5F041AA40 ,  5F041AA46 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ04 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR82 ,  5F173ZM01 ,  5F173ZP20 ,  5F173ZQ05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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