窒化ガリウム系半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大西孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002327385
Publication number (International publication number)：2003179263
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【目的】生産性の向上に資するとともに、成膜時のクラックの発生が減少したり、ウエハ(サファイア基板)全体の反りが小さくことで、より均一な特性の窒化ガリウム系半導体発光素子とする。【構成】絶縁基板上に形成されたPN接合を有する窒化ガリウム系半導体発光素子であって、ワイヤボンディング用金属電極910、920の下方のMgドープGaN半導体層600と、SiドープGaN半導体層300とからなるPN接合は、発光に寄与するPN接合とは電気的に分離されており、GaN系半導体層の膜厚が2.5μm以下になっている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたPN接合を有する窒化ガリウム系半導体発光素子において、ワイヤボンディング用金属電極の下方のPN接合は、発光に寄与するPN接合とは電気的に分離されており、GaN系半導体層の膜厚が2.5μm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

F-Term (11)：

5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA75 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-011228 Applicant：ローム株式会社
特開昭60-201680
半導体発光素子アレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-151472 Applicant：日本ビクター株式会社

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