酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001228168
Publication number (International publication number)：2003041362
Application date： Jul. 27, 2001
Publication date： Feb. 13, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】スパッタ法により結晶方位のそろった酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜を作製すること。【解決手段】酸化亜鉛基ホモロガス化合物に対応した(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)の組成を持つ多結晶焼結体をターゲットとして用い、酸素ガスとアルゴンガスの2種類のガスをともに含む雰囲気でのスパッタ法によって、アルミナ(0001)基板上に成膜し、成膜後、特に熱処理を施すこと無しに、X線極点図形、および、電子線回折、高分解能透過電子顕微鏡観察によって、結晶方位のC軸が膜厚方向に配向したヘテロエピタキシャル薄膜であることが確認しうるC軸配向したホモロガス相(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)を得る。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛基ホモロガス化合物に対応した(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)の組成を持つ多結晶焼結体をターゲットとして用い、酸素ガスとアルゴンガスの2種類のガスをともに含む雰囲気でのスパッタ法によって、アルミナ(0001)基板上に成膜し、成膜後、特に熱処理を施すこと無しに、X線極点図形、および、電子線回折、高分解能透過電子顕微鏡観察によって、結晶方位のC軸が膜厚方向に配向したヘテロエピタキシャル薄膜であることが確認しうるC軸配向したホモロガス相(In1-xGax)2O3(ZnO)m(ただし、0≦x≦1、Inおよび/またはGa対Zn比が原子比で0.1〜0.67、mは整数)を得ることを特徴とする酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法。

IPC (2)：

C23C 14/08 , H01B 1/08

FI (2)：

C23C 14/08 K , H01B 1/08

F-Term (17)：

4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BB07 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029EA01 , 4K029GA01 , 5G301CA02 , 5G301CA15 , 5G301CA27 , 5G301CD02 , 5G301CD07 , 5G301CD10 , 5G301CE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-018479 Applicant：ホーヤ株式会社, 神奈川県

Return to Previous Page