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J-GLOBAL ID：200903060341297360

金属-シリコン接触バリア被膜用の平坦な界面を有する接点及びその生成方法

Inventor： アンソニー・ジー・ドメニクッチ ,  リン・エム・ジニャック ,  ユン=ユー・ワン ,  ホレーシオ・エス・ワイルドマン ,  クオン・ホン・ウォン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999028016
Publication number (International publication number)：1999274104
Application date： Feb. 05, 1999
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 原子的に平坦な界面を有する導電性接点及びその形成方法を提供すること。【解決手段】 コバルトとチタンを含む層をシリコン基板上に付着し、得られた構造を窒素含有雰囲気中で約500°C〜約700°Cでアニールする。アニールで形成された構造の頂部に導電性材料を付着する。導電性材料がその下のシリコン基板内に拡散するのを防ぐ平坦な界面が形成される。この方法を用いて、非常に小さなデバイスの接点や、ULSIの浅い接合で必要とされるような浅い接合を形成することができる。

Claim (excerpt)：

a)シリコン基板と、b)コバルト・シリサイド層と、c)チタンとコバルトとシリコンを含有する高度に無秩序なシリサイド層と、d)酸窒化チタン層とを、この順序で備え、シリコン基板とコバルト・シリサイド層の間の界面が原子的に平坦である接点。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-348959   Applicant：株式会社東芝
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-134883   Applicant：日本電気株式会社