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J-GLOBAL ID：200903060345545032

フォトマスク描画用パターンデータ補正方法と補正装置

Inventor： 大沼 英寿
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995196898
Publication number (International publication number)：1997045600
Application date： Aug. 01, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 フォトマスクのパターンを電子線などのエネルギー線で描画する際の近接効果、またはフォトマスクを用いて露光を行い転写パターンを得る際の光近接効果を考慮し、これらが生じても、最終的に得られる転写パターンを設計パターンに近くなるように、パターンデータを補正することができる補正方法および補正装置を提供すること。【解決手段】 メッシュ登録された、ある中心のメッシュ内パターン周辺に別のパターンがある場合には、描画の際の相互近接効果が生じると判断し、相互近接効果が生じると考えられるパターンの一部のみを細分化し、細分化されたパターンのそれぞれに描画時のドーズ量データを割り振る。周辺に別のパターンがない場合には、描画の際の自己近接効果が生じると判断し、自己相互近接効果が生じると考えられるパターンの周囲部分を細分化し、細分化されたパターンのそれぞれに描画時のドーズ量データを割り振る。

Claim (excerpt)：

設計パターンを、エネルギー線で描画する際のエネルギー線の散乱する範囲の大きさでメッシュに分割し、メッシュ登録されたパターンデータを作成する作成工程と、ある中心のメッシュに着目し、そのメッシュ周囲を含むメッシュ内を検索し、中心のメッシュに登録されたパターンの周囲に別のパターンが登録されているか否かを判別する判別工程と、前記判別工程において、周辺に別のパターンがある場合には、描画の際の相互近接効果が生じると判断し、相互近接効果が生じると考えられるパターンの一部のみを細分化し、細分化されたパターンのそれぞれに描画時のドーズ量データを割り振る相互近接効果用補正工程と、を有するフォトマスク描画用パターンデータ補正方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 描画データ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-312265   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-196118
  
• 特開平3-166713