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J-GLOBAL ID：200903060407031146

半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス

Inventor： 酒井 啓太
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 岸田 正行 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265688
Publication number (International publication number)：1999111586
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 被露光基板から発生するガスにより投影光学系が汚染される。【解決手段】 投影光学系6からの露光光17により半導体基板10を露光する半導体製造用露光装置において、投影光学系と基板との間に、露光光を通過させるための開口を有した光学系汚染防止用遮蔽部材14を設け、さらにこの遮蔽部材を帯電させる。

Claim (excerpt)：

投影光学系からの露光光により半導体基板を露光する半導体製造用露光装置において、前記投影光学系と前記基板との間に、露光光を通過させるための開口を有した遮蔽部材を設けるとともに、この遮蔽部材を帯電させたことを特徴とする半導体製造用露光装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 515 E ,  G03F 7/20 521

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 露光方法及び縮小投影露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-163921   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平2-309626
  
• 紫外線照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-195706   Applicant：株式会社ニコン