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J-GLOBAL ID：200903060499798049

防曇性鏡

Inventor： 小島 栄一 ,  千国 真 ,  早川 信 ,  渡部 俊也 ,  北村 厚
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Agent (1)： 渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996156404
Publication number (International publication number)：1997056549
Application date： May. 29, 1996
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 親水性光半導体層による曇り止め処置の施された防曇性鏡において、この光半導体層の存在に起因する二重像や鏡面の暗化といった鏡像の劣化を防止する。【解決手段】 本発明は以下の4つの解決手段を、個々に、あるいは組み合わせて用いる。(1)光反射面上に直接(実質的な介在層を設けることなく)光半導体層を形成する(表面鏡)。(2)裏面鏡の場合は、透明基材(ガラス等)の厚さを0.5mm以下と薄くする。(3)光半導体を含む表面層の屈折率を下げる。例えば、低屈折率のシリカ(SiO2 、屈折率1.50)を酸化チタンに混ぜて光半導体層の屈折率を下げる。(4)表面層に含まれる光半導体や低屈折率物質の粒子径を0.1μm 以下と小さくする。

Claim (excerpt)：

光反射面を有する基材と、この基材の光反射面に形成された光半導体を含む表面層と、を備え;該光半導体の光励起に対応して表面が親水性を示すことを特徴とする防曇性鏡。

IPC (10)：

A47G 1/00 ,  A47K 1/02 ,  B01J 35/02 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 17/10 ,  B32B 27/18 ,  C03C 17/30 ,  E01F 9/00 ,  G02B 5/08 ,  B60S 1/60

FI (10)：

A47G 1/00 A ,  A47K 1/02 B ,  B01J 35/02 J ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 17/10 ,  B32B 27/18 Z ,  C03C 17/30 Z ,  E01F 9/00 ,  G02B 5/08 F ,  B60S 1/60 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光触媒組成物の製造方法及び光触媒組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-240383   Applicant：東陶機器株式会社
• 特開昭63-005301