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J-GLOBAL ID：200903060523080910
位相シフトフオトマスクの修正方法及び修正に適した位相シフトフオトマスク
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991295609
Publication number (International publication number)：1993134394
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エッチング速度を向上させ、エッチング停止点を正確に制御することが可能な位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法。【構成】 酸化シリコンを主成分とする材料からなる基板30、遮光膜パターン31及び酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターン32からなる位相シフトフォトマスクの修正方法であって、遮光膜パターン31の透明部に対応する位置の位相シフターパターン欠陥部33に、ガリウムイオン又はシリコンイオンの集束ビーム34を照射しながら、フッ化キセノン、フッ化クリプトン等の不活性元素フッ化物及びフッ素系フロロカーボンガス35を供給して、欠陥部の残りの位相シフト層と基板の所定深さをエッチングして、エッチング部の全体の位相シフト量がほぼ360°の整数倍となるようにする。
Claim (excerpt)：
酸化シリコンを主成分とする材料からなる基板、遮光膜パターン及び酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターンからなる位相シフトフォトマスクの修正方法において、遮光膜パターンの透明部に対応する位置の位相シフターパターン欠陥部に、ガリウムイオン又はシリコンイオンの集束ビームを照射しながら、フッ化キセノン、フッ化クリプトン等の不活性元素フッ化物及び、CF4 、CHF3 、C2 F6等のフッ素系フロロカーボンガスを供給して、欠陥部の残りの位相シフト層と基板の所定深さをエッチングして、エッチング部の全体の位相シフト量がほぼ360°の整数倍となるようにすることを特徴とする位相シフトフォトマスクの修正方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 W
, H01L 21/30 311 W
