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J-GLOBAL ID：200903060536743420

有機薄膜及びその製造法

Inventor： 山下 明 ,  丸野 透 ,  林 孝好 ,  神原 浩久 ,  籏野 昌弘 ,  小波 秀雄 ,  白鳥 裕一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054768
Publication number (International publication number)：1995007019
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 フタロシアニン系化合物を含有し、かつ配向性を有する有機薄膜を提供する。【構成】 2層以上の多層構造を有する有機薄膜において、少なくとも1層が、中心配位原子が金属、酸化金属、又はH2 である構造の2,3:12,13-ジベンゾフタロシアニン系化合物を含有する薄膜層である有機薄膜。当該有機薄膜を形成する方法が、真空蒸着法である有機薄膜の製造方法。他の少なくとも1層が、その他のフタロシアニン系化合物、テトラシアノキノジメタナート類、及び/又はテトラメチルテトラチア(若しくはセレナ)フルバレン塩を含有する薄膜層であることが好ましい。【効果】 非線形光学特性、又は一次元電気伝導性を利用する材料として好適である。

Claim (excerpt)：

2層以上の多層構造を有する有機薄膜において、少なくとも1層が、下記一般式(化1):【化1】(式中Mは金属、酸化金属、又はH2 を示す)で表される構造の2,3:12,13-ジベンゾフタロシアニン系化合物を含有する薄膜層であることを特徴とする有機薄膜。

IPC (7)：

H01L 21/368 ,  C07D487/22 ,  C09K 9/02 ,  G02F 1/35 504 ,  G03G 5/06 370 ,  H01L 21/203 ,  H01L 51/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-106159
  
• キラルなフタロシアニン誘導体の希土類錯体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-320647   Applicant：東北大学長