半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996314331
Publication number (International publication number)：1998154844
Application date： Nov. 26, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】歪みを入れた活性層の長手方向で向かい合うレーザ光の出射端面及び反射端面を有し、その出射端面に端面被覆膜を有する半導体レーザに関し、COD等の発生を抑制してより一層の高出力安定動作を達成する視角特性を改善する。【解決手段】基板42上に形成された一導電型を有する第1のクラッド層43と、第1のクラッド層43の上に形成され、基板42との格子不整合により歪みを入れたレーザ光を発生する活性層44と、活性層44の上に形成された反対導電型を有する第2のクラッド層45と、レーザ光の出射端面CF7に形成された端面被覆膜50とを有する半導体レーザにおいて、端面被覆膜50は、活性層44に圧縮歪みを与える膜であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された一導電型を有する第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成され、前記基板と格子整合したレーザ光を発生する活性層と、前記活性層の上に形成された反対導電型を有する第2のクラッド層と、前記レーザ光の出射端面に形成された端面被覆膜とを有する半導体レーザにおいて、前記端面被覆膜は、窒化インジウム(InN)膜又は窒化ガリウム(GaN)膜であることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-056723 Applicant：株式会社日立製作所

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