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J-GLOBAL ID：200903060592548087

静電チャック装置および半導体処理装置ならびに半導体製造装置および半導体処理方法

Inventor： 和田 純一 ,  和田 敦子 ,  松山 日出人 ,  堅田 富夫 ,  金子 尚史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001071065
Publication number (International publication number)：2002270682
Application date： Mar. 13, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】誘電体層の体積抵抗率の大きさ、印加電圧の極性および大きさ、およびプラズマ放電の有無に拘らず、残留電荷が生じるおそれが殆どないとともに、強いチャック力を得ることができる静電チャック装置を提供する。【解決手段】半導体基板6が接触する誘電体層2、誘電体層2の内部に基板6が配置される側から離されて設けられる2個の静電チャック電極3a,3b、各電極3a,3bに電圧を印可する2個の直流電源4a,4b、誘電体層2より抵抗率の小さい部材によって形成され、基板6の誘電体層6に接触する側に接触して設けられている接地部材5で静電チャック装置1,11を構成する。各電極3a,3b、誘電体層2、基板6、接地部材5で形成される電気的閉回路8にジョンソン・ラーベック電流を流し、誘電体層2および基板6に互いに反対の極性の電荷を蓄積させてジョンソン・ラーベック力を発生させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板が接触可能に配置される誘電体層と、この誘電体層に前記半導体基板が配置される側から離されて設けられる1個ないしは複数個の静電チャック電極と、前記誘電体層に接触して、かつ、前記半導体基板の前記誘電体層に接触する側に接触、または僅かな間隔を空けて設けられる通電経路部材と、を具備するとともに、前記静電チャック電極に電圧を印加することにより、前記誘電体層とこの誘電体層に接触して配置された前記半導体基板との間に電位差を生じさせて、前記静電チャック電極、前記誘電体層、前記半導体基板、および前記通電経路部材から電気的閉回路を構成することを特徴とする静電チャック装置。

IPC (5)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/31 ,  B23Q 3/15

FI (5)：

H01L 21/68 R ,  C23C 14/50 A ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/31 B ,  B23Q 3/15 D

F-Term (36)：

3C016GA10 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029JA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  5F031CA02 ,  5F031HA18 ,  5F031HA19 ,  5F031HA35 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB33 ,  5F045BB02 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ03 ,  5F045EK07 ,  5F045EM05 ,  5F045EM07 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045GB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 静電吸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-261222   Applicant：株式会社日立製作所