マスクパタン検証装置とその方法、および、マスクパタン補正装置とその方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997346792
Publication number (International publication number)：1999174659
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】光近接効果補正を行ったマスクパタンが、元のパタンと同一で露光パタンがデバイス動作上もマスク製造プロセス上も問題がないことを高速に検証したい。【解決手段】原マスクパタンがパタンデータ入力部110に入力されると、補正パラメータ決定部120で補正を行うためのパラメータを決定し、パタンデータ補正部130で光近接効果補正を行う。一方、第1および第2の検証用パタンデータ生成部140,150で原マスクパタンを最大バイアスだけオーバーサイズおよびアンダーサイズさせた検証用マスクパタンを生成し、第1および第2のパタン比較部160,170で補正したパタンデータと比較する。補正が限界を越えてない場合には、判定部180で補正が適切と判定され、パタンデータ出力部190より補正されたマスクパタンが出力される。

Claim (excerpt)：

露光用原マスクパタンに所定の補正を行って得られたマスクパタンに対して、適切に補正が行われた否かを検証する装置であって、前記原マスクパタンに対して、前記所定の補正における所定の最大限の補正が行われたのに相当するマスクパタンであって、露光工程において適切に処理が可能なマスクパタンである検証用マスクパタンを生成する検証用マスクパタン生成手段と、前記補正が行われたマスクパタンおよび前記生成された検証用マスクパタンとを比較するマスクパタン比較手段と、前記比較結果に基づいて、前記補正が行われたマスクパタンが適切なマスクパタンか否かを判定する判定手段と、を有するマスクパタン検証装置。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 T , H01L 21/30 502 V , H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

マスクパターン検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-305145 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭63-019541
特開昭63-019541

Show all

Return to Previous Page