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J-GLOBAL ID：200903060628294710

超平坦p型酸化物半導体NiO単結晶薄膜

Inventor： 細野 秀雄 ,  太田 裕道 ,  神谷 利夫 ,  平野 正浩
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002254050
Publication number (International publication number)：2004091253
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】従来のNiO薄膜は、多結晶体の集合体であり、表面の凹凸が大きい。そのため、例えば、NiO多結晶薄膜上にZnO薄膜を成長させても、ZnOの結晶性が悪くなり、ヘテロ接合を製造することができないという問題があった。【構成】気相成長法により成膜した多結晶p型酸化物NiO薄膜をアニールして単結晶としたことを特徴とするp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜。原子レベルで平坦なテラスとサブナノメータ(nm)のステップから構成されている。室温の導電率が10-4S/cm以上であり、アクセプターとして含有させるLiの濃度を30at%以下で変化させることにより導電率を制御できる。基板温度を100°C以下に保持し、気相成長法により、耐熱性単結晶基板上に多結晶p型酸化物NiO薄膜を成膜し、次いで、600〜1500°Cでアニールして単結晶とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

気相成長法により成膜した多結晶p型酸化物NiO薄膜をアニールして単結晶としたことを特徴とするp型酸化物半導体NiO単結晶薄膜。

IPC (2)：

C30B29/16 ,  H01L21/363

FI (2)：

C30B29/16 ,  H01L21/363

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DA03 ,  4G077EA07 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077FE03 ,  4G077FE07 ,  4G077FE11 ,  4G077FE19 ,  4G077HA02 ,  4G077HA20 ,  4G077SA04 ,  5F103AA10 ,  5F103BB22 ,  5F103BB27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH10 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK05 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL20 ,  5F103RR06

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Transport study of Li-implanted NiO single crystal films