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J-GLOBAL ID：200903060630974630

ウエーハの両面研磨方法と該研磨方法に用いるウエーハキャリア

Inventor： 安田 太一
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 高橋 昌久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998080308
Publication number (International publication number)：1999254305
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、両面研磨においてウエーハ10外周部の厚みが薄くならない、即ち高平坦度ウエーハ10を得る研磨を行なうことを目的としている。【解決手段】 本発明は両面研磨におけるウエーハキャリア1のウエーハ保持穴11の少なくとも周辺の厚さを厚くすることにより、高平坦度ウエーハ10を得るものであり、好ましくは、本発明のウエーハキャリア1は研磨後のウエーハ肉厚より薄いキャリア本体1Aと該キャリア本体1Aのウエーハ保持穴11周辺部に積層若しくは被覆される肉厚調整部材2とからなり、前記肉厚調整部材2によりウエーハ保持穴11周辺部の肉厚を、研磨前のウエーハ肉厚W1 と同等か、僅かに大に設定するのがよい。

Claim (excerpt)：

ウエーハキャリアの保持穴に保持されたウエーハの上下両面側に夫々上定盤と下定盤に貼着された研磨パッドを配し、前記ウエーハとその上下両側に位置する研磨パッド間の摺擦運動により、ウエーハの両面研磨を行なうウエーハの両面研磨方法において、前記ウエーハキャリアの少なくともウエーハ保持穴周辺部の肉厚を研磨後のウエーハ肉厚より大に設定し、研磨工程の少なくとも最終段階で該保持穴周辺部と一体的にウエーハの両面研磨がなされることを特徴とするウエーハの両面研磨方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄板セラミックスとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-047588   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平3-183129