Pat

J-GLOBAL ID：200903060634852067

半導体装置の作製方法

Inventor： 楠本 直人 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305959
Publication number (International publication number)：1998135135
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 レーザー光の照射による非晶質珪素膜の結晶化をむら無く行う技術を提供する。【解決手段】 非晶質珪素膜102の表面に形成された酸化膜103をエッチングしてから、レーザー光の照射を行う。この際、レーザー光は線状にビーム加工された紫外領域のエキシマレーザーを用いる。また、試料は室温以下の温度とし、また非晶質珪素膜の膜厚を400〜1000Å程度とする。こうすることで、線状レーザーの照射による縞模様の形成を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の表面に形成された不純物膜を除去する工程と、紫外領域の波長を有する線状のエキシマレーザー光を走査して照射することにより前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 珪素膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-091255   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示用半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-257616   Applicant：ソニー株式会社