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J-GLOBAL ID：200903060686992240

半導体装置の製造方法

Inventor： 梶 成彦 ,  青木 利一郎 ,  遠山 裕之 ,  江川 秀光 ,  吉田 貴光 ,  西山 幸男
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003549
Publication number (International publication number)：1995211708
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】下地素子を劣化することなく被覆性の良好な弗素を含有する酸化珪素膜をプラズマCVD法により形成することである。【構成】 第1の高周波電力源12及び第2の高周波電力源13から2周波の高周波電力が印加される上部電極14と、下部電極15とを有する平行平板型のプラズマCVD装置を用い、少なくとも有機珪素化合物、弗素炭素化合物と酸素を含みかつ弗素/珪素元素比を15以上とする原料ガスをチャンバ11内に導入して、基板30上に弗素を含有する酸化珪素膜を形成する。

Claim (excerpt)：

周波数の異なる複数の高周波電力が印加される上部電極と、該上部電極と対向するように設けられかつ基板を載置する下部電極とを有するプラズマCVD装置を用い、少なくとも有機珪素化合物、弗素炭素化合物と酸素を含み、かつ弗素/珪素元素比を15以上とする原料ガスを上記プラズマCVD装置に導入し、上記基板上に弗素を含有する酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-086366   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド