低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000074822
Publication number (International publication number)：2001217199
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】低抵抗のp型化合物半導体材料の製造方法を提供することである。【解決手段】基板上に低抵抗p型化合物半導体材料を形成する方法であって、(a)基板上にp型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、(b)p型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に低抵抗p型化合物半導体材料を形成する方法であって、(a)基板上にp型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、(b)p型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えた低抵抗p型化合物半導体材料を形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/324 C , H01L 33/00 B , H01L 33/00 C , H01L 33/00 D

F-Term (11)：

5F041CA34 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA44 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA54 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-174828 Applicant：シャープ株式会社
p型化合物半導体の低抵抗化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-074645 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開昭63-173321

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