3族窒化物半導体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994076512
Publication number (International publication number)：1995263749
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】結晶性の向上及び発光強度の向上【構成】発光ダイオード10はサファイア基板1を有し、その上に500 ÅのAlNのバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaNから成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びマグネシウムドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成る発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成るp層6が形成されている。その後、上記発光層5及びp層6は窒素ガスのプラズマ状態で加熱される。これによりN元素を離脱させることなくH元素を離脱させることができ、p伝導型の良質な結晶を得ることができ、その結果、発光強度が向上する。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の製造方法において、3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) の気相成長後に、窒素プラズマ中で加熱処理することを特徴とする製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/324 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
III-V族合金半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-191985 Applicant：日本電信電話株式会社
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357046 Applicant：日亜化学工業株式会社

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