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J-GLOBAL ID：200903060705530503

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡辺 啓仁 ,  本間 一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284485
Publication number (International publication number)：1996306646
Application date： Oct. 05, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 DRAMやTFTの容量電極に用いるのに好適なシリコン膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シランガスをPドープあるいは不純物を添加していない非晶質シリコン上に1×10-3[Torr]以下で照射し、非晶質シリコンを選択的に成長し、連続してアニール処理することで、非晶質シリコン上に微結晶を形成し、電極表面に凹凸を形成する。また、非晶質シリコンの選択成長を行うことで、電極表面の微結晶に供給するシリコン原子を増やす。これにより、球状又は半球状のグレインが安定して形成できるため、DRAMの容量電極に用いることが可能となる。一方、水素や酸素雰囲気中でアニール処理することで、グレインの成長を起こさずに滑らかな表面を有するシリコン膜が形成でき、TFTの容量電極に用いる。

Claim (excerpt)：

表面の自然酸化膜が除去された非晶質シリコン層を有する基板を真空中又は不活性ガス中において加熱処理する第1のステップと、このステップ後にシランガスに前記基板をさらす第2のステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314476   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-154896   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-041840   Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社