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J-GLOBAL ID:200903060728279506

半導体発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998324689
Publication number (International publication number):2000150969
Application date: Nov. 16, 1998
Publication date: May. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 主光取出し面以外から漏れる光を発光方向に効率的に回収できるとともに放熱を促進して発光特性を安定化し得るフリップチップ型の発光素子を備える半導体発光装置の提供。【解決手段】 フリップチップ型の半導体発光素子2を静電気保護用のツェナーダイオード6に導通搭載して複合素子化したものをリードフレーム5のマウント部5cに導通搭載し、半導体発光素子2の主光取出し面を除いて複合素子周りを絶縁性ペースト4によって充填し、この絶縁性ペースト4に混入した高熱伝導性及び光反射性のフィラーを利用して、半導体発光素子2の発熱をリードフレーム5側へ熱伝達するとともに漏れる光を主光取出し面側に反射させて発光輝度を高める。
Claim (excerpt):
光透過性の基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子を、前記基板を発光方向としてリードフレーム等のマウント部に導通搭載し、前記半導体発光素子及びその周りの導通部を含めて樹脂封止する半導体発光装置であって、少なくとも発光方向に臨んでいる面を除く前記半導体発光素子の周りを被覆し且つ前記マウント部の表面に接触する絶縁性のペーストを充填し、前記絶縁性のペーストには、前記半導体発光素子から前記マウント部側への熱伝達及び前記発光方向への光反射のためのフィラーを混入してなる半導体発光装置。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2):
H01L 33/00 N ,  H01S 3/18 673
F-Term (22):
5F041AA03 ,  5F041AA23 ,  5F041AA33 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA83 ,  5F041DB01 ,  5F073CA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CA11 ,  5F073CB05 ,  5F073EA07 ,  5F073FA29 ,  5F073GA31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 発光ダイオード
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-215556   Applicant:日亜化学工業株式会社
  • 発光装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-111786   Applicant:日亜化学工業株式会社
  • LEDディスプレイ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-078293   Applicant:日亜化学工業株式会社
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