発光デバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993263783
Publication number (International publication number)：1995086640
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体層よりなる発光チップのその窒化物半導体層側を発光観測面とする構造の発光デバイスにおいて、第一に電極間ショートのない信頼性に優れた発光デバイスを実現し、第二にその発光デバイスの外部量子効率を向上させる。【構成】サファイア基板1とリードフレーム3とが絶縁性の接着剤4を介して接着されることにより、電極間ショートをなくし、さらに接着剤4を透明とすることにより、発光デバイスの外部量子効率を向上させる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上にp-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体を積層した発光チップが、リードフレームに載置されてなる発光デバイスにおいて、前記サファイア基板と前記リードフレームとが絶縁性の接着剤を介して接着されていることを特徴とする発光デバイス。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭62-101090
特開昭61-056474
特開昭52-053862

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