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J-GLOBAL ID：200903060730708945

フェースダウンボンディング半導体装置

Inventor：
廣瀬 達哉

About 廣瀬 達哉


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996218929
Publication number (International publication number)：1998064956
Application date： Aug. 20, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高周波半導体ICチップを誘電体回路基板上にフェースダウンボンディングして形成する高周波半導体装置に関し、フェースダウンボンディングでき、十分な支持力を与え、かつ特性の低下を防止することのできるフェースダウンボンディング半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に接続端子を有する半導体電気回路を形成した半導体基板と、前記半導体基板表面の接続端子上に配置され、導電体で形成された配線用ピラーと、前記半導体基板表面の接続端子以外の位置に配置され、前記配線用ピラーとほぼ等しい高さを有する支持用ピラーとを有するフェースダウンボンディング半導体装置が提供される。
Claim (excerpt)：
表面に接続端子を有する半導体電気・電子回路を形成した半導体基板と、前記半導体基板表面の接続端子上に配置され、導電体で形成された配線用ピラーと、前記半導体基板表面の接続端子以外の位置に配置され、前記配線用ピラーとほぼ等しい高さを有する支持用ピラーとを有するフェースダウンボンディング半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/70 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (3)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/70 ,  H01L 29/80 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-360576   Applicant：ローム株式会社
  • 特開昭59-208768
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-164393   Applicant：富士通株式会社
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