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J-GLOBAL ID：200903060821651946

電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法

Inventor： ブラウン,ベバーリー・アン ,  クパーチノ,ドメニコ・カーロ ,  リーミング,スティーブン・ウィリアム ,  スコフィールド,ジョン・デビッド ,  ヴェレス,ジャノス ,  イエイテス,スティーブン・ジョージ
Applicant, Patent owner： アベシア・リミテッド
Agent (5)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002547243
Publication number (International publication number)：2004525501
Application date： Nov. 21, 2001
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

連続半導体層が、a)有機半導体;および、b)10-6Scm-1未満の固有導電率と1000Hzにおいて3.3未満の誘電率とを有する有機バインダー、を含む、電界効果トランジスタ、ならびに、その生産方法であって、・基板を、有機半導体および反応してバインダーを形成することができる材料を含む液層でコーティングし;そして、・該液層を、該材料を反応させてバインダーを形成させることにより、半導体およびバインダーを含む固体層に転化する、ことを含む方法。

Claim (excerpt)：

連続半導体層が、 a)有機半導体;および、 b)10-6Scm-1未満の固有導電率と1000Hzにおいて3.3未満の誘電率とを有する有機バインダー、 を含む、電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618A

F-Term (16)：

5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-039712   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-125861
  
• 特開昭48-077841
  
• 特開平2-010778
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• High-Mobility Doped Polymers