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J-GLOBAL ID:200903060829408650

半導体集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997075241
Publication number (International publication number):1998270562
Application date: Mar. 27, 1997
Publication date: Oct. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体集積回路のリバースエンジニアリングを防止するために、光学的にも電気的にも内部観測を阻止する防御機構を有する半導体集積回路を提供する。【解決手段】 不透明な導電性遮蔽膜(82)を半導体集積回路内部の配線層と同一層に配線(6)とギャップを保って形成した。
Claim (excerpt):
不透明な導電性遮蔽膜を絶縁膜上の配線とギャップを保って同一層に形成したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2):
H01L 21/82 ,  H01L 21/3205
FI (2):
H01L 21/82 Z ,  H01L 21/88 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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